Weitere Informationen zu Transcend TS1TMTE110Q
? Kapazität: 1000 GB - Interner Datendurchsatz: 2000 MBps (lesen)/ 1500 MBps (Schreiben) - NAND-Flash-Speichertyp: Quad-Level Cell (QLC) - Formfaktor: M.2 2280 - Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe) - Merkmale: Advanced Garbage Collection, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.